Ulasan Lengkap Wacana Magnetoresistive Random Access Memory
Sebuah komputer tidak akan bekerja tanpa adanya memory. Saat ini, kebutuhan memori tidak hanya terpaku pada besarnya isu yang sanggup ditampung, tetapi juga kepada besarnya kecepatan jalan masuk isu dari memori tersebut.
Oleh lantaran itu, teknologi memori selalu dikembangkan untuk mendapatkan terobosan-terobosan gres dalam meningkatkan kinerja memori baik dalam hal kapasitas menyimpan isu maupun kecepatan jalan masuk informasi.
Berikut kami sajikan ulasan lengkap wacana Magnetoresistive Random Access Memory..
Selamat belajar..
Contoh dari volatile memori yakni RAM, Random Access Memory. RAM merupakan memori utama sebuah komputer, bertugas untuk mendapatkan isu kemudian menyimpannya untuk dipakai ketika dibutuhkan.
Kegunaan RAM antara lain sebagai perangkat penyimpanan isu sementara. Informasi yang terdapat di dalam RAM sanggup diakses dalam waktu yang tetap serta tidak memperdulikan letak data tersebut.[MRM.1996]
Contoh dari non-volatile memori yakni ROM, Read Only Memory.
ROM merupakan sebuah teladan dari Progammable Logic Device, yakni perangkat yang sanggup diprogram untuk menyimpan isu spesifik untuk perangkat keras komputer. [MRM.1996]
Kebutuhan akan memori yang begitu tinggi telah menciptakan banyak sekali macam teknologi gres ditemukan. Salah satu jenis memori terbaru yang dikatakan oleh sebagian orang akan menjadi memori yang paling mayoritas dimasa depan yakni MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory.
Meskipun teknologi ini sudah dikembangkan semenjak 1990-an, MRAM secara formal diperkenalkan pertama kali oleh IBM pada tahun 2007. Selanjutnya, banyak sekali developer lain menyerupai NVE dan Thosiba, mulai bermunculan dengan produk MRAM-nya masing-masing.
Magnetik-Tunnel-Junction (MTJ) tersusun atas sebuah layer magnetik permanen, dielectric tunnel barrier, dan sebuah layer magnetik bebas.
sumber: http://www.research.ibm.com/journal/rd/501/maffitt.pdf
Layer magnetik permanen mempunyai arah magnetik (polarisasi) yang tidak sanggup diubah selama operasi, sedangkan layer magnetik bebas mempunyai arah magnetik (polarisasi) yang sanggup diubah dengan mengaplikasikan medan magnetik yang cukup.
Informasi pada MRAM disimpan pada layer sebelah atas (layer magnetic bebas) dengan memaksa elektron pada dielectric tunnel (tunnel insulator) berputar pada arah-arah tertentu. Informasi pada MRAM diambil dengan mengukur jumlah arus yang bergerak melalui tunnel insulator, yang tergantung pada arah putaran elektron pada layer sebelah atas.
Ketika kau menyalurkan arus kepada MTJ, elektron akan bergerak kemudian berputar serta terpolarisasi oleh layer magnetik. Jika polarisasi magnetik pada kedua layer sama, maka resistansi kecil akan terdeteksi dan merepresentasikan 0.
Sebaliknya, kalau polarisasi magnetik pada kedua layer tidak sama, maka resistensi besar akan terdeteksi dan merepresentasikan 1. [IBM.2006]
Sumber: http://www.eetasia.com/ART_8800455592_499486_NT_d22611aa.HTM
Menulis bit pada MRAM sanggup dilakaukan lantaran adanya perbedaan polarisasi pada elektron diantara layer-layer magnetik. Dalam gugusan yang paling sederhana, sebuah cell terletak diantara sepasang lintasan tulis, yakni lintasan atas dan lintasan bawah.
Untuk menulis “1” secara stimultan diberikan arus yang mengalir melalui lintasan atas dan bawah yang menimbulkan medan magnet dan kemudian merubah arah putaran elektron yang akan merubah resistansi junction.
Menulis “0” membutuhkan proses yang sama kecuali bahwa arus yang mengalir pada elektroda atas mengalir dalam arah yang berbeda. [IBM.2006]
MRAM diprediksi akan menggantikan keberadaan semua jenis memori ketika ini, baik itu SRAM, DRAM, flash, maupun ROM. Dengan adanya MRAM kebutuhan banyak sekali jenis memori telah tersatukan. Inilah sebabnya banyak pakar yang memprediksi bahwa MRAM akan menjadi sebuah universal memori yang sebenarnya.
“IBM, Infineon Develop Most Advanced MRAM Technology to Date“ http://domino.research.ibm.com/comm/pr.nsf/pages/rsc.mramvlsi.html? Open&printable[13 Desember 2008, pukul 09.00]
Mano, M. M., Kime, Charles R. 1996. Logic and Computer Design Fundamentals. NJ:Prentice Hall.
“MRAM”.http://en.wikipedia.org/wiki/Magnetoresistive_Random_Access_Memory[10 Desember 2008, pukul 20.00]
“MRAM”.http://www.eetasia.com/ART_8800455592_499486_NT_d22611aa.HTM[13 Desember 2008, pukul 10.00]
Oleh lantaran itu, teknologi memori selalu dikembangkan untuk mendapatkan terobosan-terobosan gres dalam meningkatkan kinerja memori baik dalam hal kapasitas menyimpan isu maupun kecepatan jalan masuk informasi.
Berikut kami sajikan ulasan lengkap wacana Magnetoresistive Random Access Memory..
Selamat belajar..
Ulasan Lengkap wacana Magnetoresistive Random Access Memori
Pendahuluan
Secara umum, memori dibedakan atas volatile dan non-volatile.#1 Volatile Memory
Memori yang bersifat volatile akan kehilangan isu yang disimpannya kalau supply energy dihentikan.Contoh dari volatile memori yakni RAM, Random Access Memory. RAM merupakan memori utama sebuah komputer, bertugas untuk mendapatkan isu kemudian menyimpannya untuk dipakai ketika dibutuhkan.
Kegunaan RAM antara lain sebagai perangkat penyimpanan isu sementara. Informasi yang terdapat di dalam RAM sanggup diakses dalam waktu yang tetap serta tidak memperdulikan letak data tersebut.[MRM.1996]
#2 Non-Volatile Memory
Non-volatile memori akan tetap menyimpan isu walaupun supply energy dihentikan.Contoh dari non-volatile memori yakni ROM, Read Only Memory.
ROM merupakan sebuah teladan dari Progammable Logic Device, yakni perangkat yang sanggup diprogram untuk menyimpan isu spesifik untuk perangkat keras komputer. [MRM.1996]
Kebutuhan akan memori yang begitu tinggi telah menciptakan banyak sekali macam teknologi gres ditemukan. Salah satu jenis memori terbaru yang dikatakan oleh sebagian orang akan menjadi memori yang paling mayoritas dimasa depan yakni MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory.
MRAM
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) merupakan sebuah non-volatile memori, memakai muatan magnet untuk menyimpan data dan bukan muatan listrik menyerupai pada SRAM atau DRAM. MRAM telah dikembangkan semenjak tahun 1990-an. [WKD.2008]Meskipun teknologi ini sudah dikembangkan semenjak 1990-an, MRAM secara formal diperkenalkan pertama kali oleh IBM pada tahun 2007. Selanjutnya, banyak sekali developer lain menyerupai NVE dan Thosiba, mulai bermunculan dengan produk MRAM-nya masing-masing.
Arsitektur MRAM
Arsitektur MRAM merupakan sebuah aplikasi dari spintronics (putaran elektron) yang mengkombinasikan teknologi Magnetik-Tunnel-Junction (MTJ) dan teknologi CMOS. [IBM.2006]Magnetik-Tunnel-Junction (MTJ) tersusun atas sebuah layer magnetik permanen, dielectric tunnel barrier, dan sebuah layer magnetik bebas.
sumber: http://www.research.ibm.com/journal/rd/501/maffitt.pdf
Layer magnetik permanen mempunyai arah magnetik (polarisasi) yang tidak sanggup diubah selama operasi, sedangkan layer magnetik bebas mempunyai arah magnetik (polarisasi) yang sanggup diubah dengan mengaplikasikan medan magnetik yang cukup.
Informasi pada MRAM disimpan pada layer sebelah atas (layer magnetic bebas) dengan memaksa elektron pada dielectric tunnel (tunnel insulator) berputar pada arah-arah tertentu. Informasi pada MRAM diambil dengan mengukur jumlah arus yang bergerak melalui tunnel insulator, yang tergantung pada arah putaran elektron pada layer sebelah atas.
Operasi Read
Operasi Read dihasilkan dengan mengukur resistansi listrik dari sebuah cell. Berdasarkan efek tunnel magnetic, resistensi elektrik dari sebuah cell akan berubah berdasarkan orientasi dari medan magnet pada dua buah layer magnetic MTJ.Ketika kau menyalurkan arus kepada MTJ, elektron akan bergerak kemudian berputar serta terpolarisasi oleh layer magnetik. Jika polarisasi magnetik pada kedua layer sama, maka resistansi kecil akan terdeteksi dan merepresentasikan 0.
Sebaliknya, kalau polarisasi magnetik pada kedua layer tidak sama, maka resistensi besar akan terdeteksi dan merepresentasikan 1. [IBM.2006]
Operasi Write
Sumber: http://www.eetasia.com/ART_8800455592_499486_NT_d22611aa.HTM
Menulis bit pada MRAM sanggup dilakaukan lantaran adanya perbedaan polarisasi pada elektron diantara layer-layer magnetik. Dalam gugusan yang paling sederhana, sebuah cell terletak diantara sepasang lintasan tulis, yakni lintasan atas dan lintasan bawah.
Untuk menulis “1” secara stimultan diberikan arus yang mengalir melalui lintasan atas dan bawah yang menimbulkan medan magnet dan kemudian merubah arah putaran elektron yang akan merubah resistansi junction.
Menulis “0” membutuhkan proses yang sama kecuali bahwa arus yang mengalir pada elektroda atas mengalir dalam arah yang berbeda. [IBM.2006]
Kelebihan MRAM
MRAM mempunyai beberapa kelebihan dibandingkan memori-memori sebelumnya. Kelebihan-kelebihan itu antara lain:- Teknologi MRAM sanggup mempertahankan keberadaan data yang disimpan pada dirinya ketika supply energi dihentikan. (non-volatile)
- Memiliki kecepatan tulis dan baca yang lebih cepat dibandingkan dengan teknologi lain termasuk Flash RAM dan EEPROM
- Tidak menyerupai DRAM yang membutuhkan pedoman listrik yang konstan untuk menjaga integritas data, MRAM hanya membutuhkan sedikit listrik untuk menyimpan data.
- Memiliki densitas yang tidak kalah dengan DRAM
Manfaat MRAM
Dengan banyak sekali macam kelebihan yang dimiliki, MRAM mempunyai banyak sekali macam manfaat:- Di dalam dunia aplikasi komersial, MRAM berkhasiat untuk menyimpan data ketika system mengalami crash.
- Sedangkan pada dunia aplikasi hiburan(game misalnya), keberadaan MRAM dipakai pada feature resume, dimana pemain tidak akan kehilangan permainannya ketika terjadi mati listrik.
- MRAM juga mempunyai manfaat untuk system keamanan dengan mengatur enkripsi. Parameter enkripsi sanggup disimpan dengan cepat dan dipertahankan selama system mati.
Kesimpulan
Referensi
“Design considerations for MRAM”. http://www.research.ibm.com/journal/rd/501/maffitt.pdf [13 Desember 2008, pukul 09.00]“IBM, Infineon Develop Most Advanced MRAM Technology to Date“ http://domino.research.ibm.com/comm/pr.nsf/pages/rsc.mramvlsi.html? Open&printable[13 Desember 2008, pukul 09.00]
Mano, M. M., Kime, Charles R. 1996. Logic and Computer Design Fundamentals. NJ:Prentice Hall.
“MRAM”.http://en.wikipedia.org/wiki/Magnetoresistive_Random_Access_Memory[10 Desember 2008, pukul 20.00]
“MRAM”.http://www.eetasia.com/ART_8800455592_499486_NT_d22611aa.HTM[13 Desember 2008, pukul 10.00]
0 Response to "Ulasan Lengkap Wacana Magnetoresistive Random Access Memory"
Posting Komentar